英特尔、美光公布32Gb闪存芯片

Intel/Micron联手进军 50nm 闪存芯片

Intel与Micron联合投资的IM Flash Technologies宣布将于2007年上半年在新加坡兴建其第四座生产工厂，初期目标是使用300mm(12英寸)晶圆生产50nm工艺的NAND闪存芯片。

超快启动 Intel闪存芯片组详情

今年春季的Intel开发者大会上，全球第一大x86芯片处理器制造商宣布将在其未来的笔记本芯片组中集成1GB闪存以加快系统启动、加载软件速度——代号Robson，Santa Rosa迅驰平台的重要组成部分。