SK海力士将在CES 2023大会上展示主力存储器产品和新的产品阵容。
近日,海力士在第二季度的财报中表明,将在下半年开始量产DDR5内存颗粒。据悉DDR5内存相比于DDR4内存,带宽拥有成倍的提升普遍可达到4800MT/s,而且单条容量有望提升128GB。
SK海力士日前宣布推出新一代企业级NVMe SSD,采用72层堆栈的3D TLC闪存,连续读取速度可达3200MB/s,并且具备极低的功耗,同时支持读取敏感型及混合型应用。
SK海力士宣布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb(1GB)容量DDR4 DRAM芯片。该芯片最高支持3200Mbps,即3200MHz频率,号称可以提供最佳的性能和容量密度。
三星和SK海力士都在密切关注美光科技与福建省晋华集成电路有限公司的专利纠纷,鉴于美光上周在诉讼中被判禁售,韩国公司也十分紧张。因为三星、SK海力士是比美光还大的内存、闪存供应商,他们担心未来也会受到制裁压力。
3月22日来自中国江苏网的消息称,江苏淮安市时代芯存公司投资130亿元建设了国内最大的相变存储基地,上周已经开始正式运营。该工厂用于生产PCM相变存储芯片,其性能和稳定性都是传统内存的1000倍。
据外媒报道,在最新的数据手册显示,海力士的GDDR6显存芯片现在可以供货,不过这款显存属于海力士的低端产品,其高性能的显存产品或将推迟发布。
韩国海力士(Hynix)半导体的股东透露,公司股东现在愿意接受新的竞购方案,负责安排控股权出售事宜的顾问行正在接洽潜在竞购买家。
会议上,韩国Hynix公司的DRAM产品计划和执行总监Sunny Khang主要从客户系统的DDR3和DDR3高密度服务器DIMM方面进行了介绍,海力士预计DDR3 1600将在2011和2012年成为主流,并在业界中引领这一过程。而到2012年主流频率将达到1866MHz,在2013年则为DDR3 2133,同时继续保持1.5V
彭博社报道,受到内存芯片价格下降、诉讼赔偿的双重影响,海力士去年四季度利润大跌83%。