近日,工业内存存储厂商ATP Electronics宣布了自己研发的高密度8Gb DDR3颗粒,并承诺会确保DDR3内存的持续供应。ATP的DDR3内存采用2xnm工艺制造,提供多种规格可选,兵器可选是否支持ECC。
如今内存规格在不断升级,但是内存价格也在疯涨,同时,还有很多人在纠结内存DDR3和DDR4规格之间的区别。所以在这个节点我们需要多了解不同规格内存有什么区别,以及该如何选择适合自己内存。
三星30纳米4GB DDR3-1600内存单条容量为2GB,其颗粒芯片采用30纳米工艺制造,运行频率为DDR3-1600(等效于PC3-12800),标准时序11-11-11-28.
新版三星内存采用黑色窄版设计,大小只有传统内存产品的三分之二;其内存颗粒采用30nm级半导体技术。
对喜欢超频的朋友来说,40-60nm制造工艺的DDR3-1600MHz内存,根本无法在标准1.5伏电压下长时间承受1600MHz频率。
海力士的50nm级和40nm级内存颗粒已经成功通过了验证,未来海力士将重点放在笔记本、平板以及服务器平台等云生态系统的构建方面,HY(现代)
新版三星内存采用黑色窄版设计,大小只有传统内存产品的三分之二;其内存颗粒采用30nm级半导体技术,比40-60nm存储设备减少一半