三星发布密度最高50纳米芯片

英特尔首个 50 纳米 NAND 闪存设备样品

爱达荷州博伊西市与 加利福尼亚州圣克拉拉市 ， 2006 年 7 月 25 日 —— 美光科技 公司 （ Micron Technology. Inc. ） 与英特尔公司今天宣布试制成功了业内首个基于行业领先的 50 纳米 （ nm ） 制程技术的 NAND 闪存 ， 这兑现了它们对快速提升技术领先曲线的承诺。样品通