三星宣布启动第9代V-NAND闪存当中1Tb容量的QLC闪存,进一步巩固了三星在高容量、高性能NAND闪存市场中的地位。
三星准备明年开始生产第9代V-NAND技术的产品,将超过300层,并将继续沿用双堆栈架构。
三星电子日前宣布,已经开始大规模生产其236层3D NAND闪存芯片,可带来2400MTps的传输速度。
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