Hynix推世界首款40nm 2GB GDDR5颗粒

急速冷却 AVC海力士帮您CPU寒冰护体

风吹水动 飓风力士双雄出活动全动员

海力士40nm级2Gb DDR3获Intel认证

三星海力士DRAM市场占有率持续攀升

海力士宣布54nm二代1Gb DDR3内存芯片

三星和海力士明年芯片项目将投巨资

海力士发布4Gb内存颗粒 支持Atom MID

威刚科技已向海力士预付NAND芯片定金

全球第一台INTEL1366/1156水冷散热器

海力士投资3亿美元在华建半导体公司

北京时间5月18日上午消息，据韩国媒体报道，海力士半导体今日表示，将在中国江苏省无锡市与无锡产业发展集团有限公司合资建立半导体后加工厂。

海力士今日宣布54nm Mobile DDR2颗粒

海力士（Hynix）半导体公司今日宣布，其已经成功开发出世界首款采用54nm工艺技术制造，适用于便携设备的1Gb Mobile DDR2内存颗粒。

海力士8GB RAM DDR3通过Nehalem认证

海力士半导体今天宣布，业界第一款基于MetaRAM存储技术的8GB 2-Rank DDR3 RDIMM内存已经通过了Intel Nehalem Tylersburg-EP Xeon服务器平台的认证，即将进入实用阶段。

海力士DDR3内存将要迈入40nm时代

继三星之后，海力士也宣布完成了40nm工艺1Gb DDR3 DRAM内存芯片的研发。

海力士发布首款7Gbps GDDR5高速显存

海力士展示单条16GB DDR3内存

存储密度革命到来 海力士获Z-RAM授权

Innovative Silicon (ISi)今天宣布，已经和韩国海力士公司达成协议，授权后者在DRAM芯片设计中使用Z-RAM技术。该项授权价值超过1000万美元，并且在实现量产后还会继续支付版权费用。

SanDisk海力士结盟NAND 行业格局生变

Hynix推最快笔记本DDR SDRAM内存芯片

Hynix(海力士)宣布推出最快、最小的笔记本DDR SDRAM内存芯片：频率200MHz、表面积8×10mm。

外资半导体发力中国 海力士意法投产

外资半导体企业开始成为中国半导体市场的主导力量。昨天，无锡海力士意法半导体有限公司（下称“海力士意法”）首条12英寸生产线正式投产。

扩充DRAM产能! 海力士大陆工厂已启动

南韩海力士（Hynix）在江苏无锡的8寸和12寸新厂在10日举行启用典礼，由于海力士有意与国内封测厂择一在当地合资设立封测厂，国内力成、南茂、泰林及联测等高层均已应邀参加，市场预料，海力士与谁合资在当地设立封测厂，这次行程可望拍板定案。

三星、海力士转产 SDRAM供货再度吃紧

来自台湾DigiTimes的报道——SDRAM市场经过近1季以来库存调整后，目前库存已降至安全水位，但近来伴随着消费性电子产业需求旺季到来，SDRAM需求量暴增，加上三星电子（Samsung Electronics）及海力士（Hynix）2大SDRAM供货商在DRAM及NAND型闪存（Flash）上已自顾不暇，因而停