1866频率内存 尔必达8G 2RX8售490元

原厂内存 尔必达4GDDR3仅需230元

尔必达DDR3 1333高性能系列采用1333MHz的工作频率，提供2G和4G的容量，同时采用黑色的PCB基板，走线严谨。

美光科技宣布25亿美元收购日本尔必达

尔必达二轮竞标今出结果 美光胜率高

破产重组整并 内存硬盘行业1季度回顾

角逐美光：韩国海力士也看上尔必达了

传东芝将参与尔必达救助 欲阻止美光

海力士称尔必达申请破产致其需求激增

尔必达破产牵动全球DRAM内存产业版图

尔必达申请破产保护 PC时代落幕悲剧

美光科技或低价收购尔必达广岛工厂

尔必达申请破产保护 规模创两年之最

尔必达面临破产 DRAM或出现寡头垄断

尔必达面临破产 DRAM市场或出现垄断

默认1866MHz 尔必达研发4Gb 25nm颗粒

日本公司尔必达上周末宣布已经开发出基于25nm节点的全球最小的4Gb DDR3 DRAM颗粒。

尔必达25nm制程DDR3内存颗粒开始出货

日本著名半导体厂商尔必达（Elpida）于今日（8月1日）开始出货世界首个采用25nm工艺制造的内存颗粒EDJ2104BFSE（2Gbit DDR3 SDRAM，位宽4bit）和EDJ2108BFSE（同为2Gbit DDR3 SDRAM，位宽8bit）。

笔记本电脑伤不起 5大最放心内存推荐

内存厂商第一 尔必达已引入HKMG技术

日本尔必达公司近日宣布成功开发出了DRAM业界首款使用HKMG技术的2Gbit密度LPDDR2 40nm制程级别DRAM芯片产品。HKMG技术即指晶体管的栅极绝缘层采用高介电常数（缩写为high-k即HK）材料，栅电极采用金属材料（Metalgate即MG）。采用这种技术的晶体管可减小栅漏电流并提升晶体管

尔必达已开发出25nm制程2Gb DDR3芯片

日本尔必达公司宣布开发出25nm制程2Gb密度DDR3内存芯片产品，这款产品可支持DDR3-1866规格，并兼容1.35V工作电压条件下的DDR3L-1600工作模式。预计芯片样品将于今年7月份开始向外出售，芯片的量产则也将在同一时期启动。

地震无影响 尔必达30nm 4Gb移动内存

尽管受地震影响出现停工现象，但日本存储芯片大厂尔必达的新品发布进程并未受到影响。今天，他们发布了针对智能手机、平板机的新款移动存储芯片产品，基于30nm工艺的DDR2 Mobile-RAM。

涨了或还涨 业界显卡产业线震后分析

瑞晶下季度为尔必达试产移动DRAM芯片

台湾媒体报道，尔必达总裁兼CEO阪本幸雄上周表示，瑞晶电子将在今年5月份使用尔必达工艺设计试产移动DRAM（mobile DRAM）芯片产品。

要警惕 尔必达下月提高DRAM芯片价格

台湾媒体报道，尔必达总裁兼CEO阪本幸雄日前表示，鉴于内存市场供需将趋于平衡，他们计划在3月初提升DRAM芯片价格。

尔必达或自产GDDR显存 华邦订单大减

台湾媒体报道，随着GDDR芯片需求的下滑，尔必达正在持续降低对华邦的外包生产订单。华邦表示，由于利润低于预期，他们已经降低了GDDR芯片的产能，但仍会继续与尔必达在GDDR芯片生产上合作。

茂德获尔必达授权 开发自主品牌DRAM

尔必达出货30nm 4GB DDR3笔记本内存

尔必达/Rambus达成1.8亿专利授权协议

尔必达出品全球最迷你DDR3 SDRAM颗粒

内存大小达768GB 尔必达LRDIMM将量产

尔必达12月将启动30纳米DRAM芯片量产