SK海力士今天宣布推出了全球最高性能的新一代显存产品GDDR7,速度最高可达40Gbps。
SK海力士今天官宣了全新的PCB01固态硬盘产品,针对设备上的人工智能进行了优化,采用了全新的PCIe 5.0x8通道,将于今年内量产。
SK海力士分享了下一代HBM4E产品的发展方向,表示当前HBM技术已达到新的水平,同时代际更迭周期也在加快。
SK海力士表示,已开发出Zoned UFS(ZUFS)4.0闪存,并将于第三季度开始大规模量产。相比此前的UFS闪存,ZUFS启动快45%,使用寿命提高40%。
SK海力士在英伟达GTC 2024大会期间展示了型号为Platinum P51的高性能PCIe 5.0 SSD。
SK海力士将在ISSCC 2024大会上展示多款新品,包括全新的GDDR7和HBM3E显存,以及频率更高的LPDDR5T-10533 DRAM。
近日SK海力士在介绍2024年存储产品线的时候,已确认明年将启动下一代HBM4的开发工作,为数据中心和人工智能产品提供动力。
在近日召开的FMS 2023闪存峰会上,SK海力士就展示了其新型PLC(5-Bit MLC)技术的研究成果。
SK海力士今日宣布,成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E显存,并开始向客户提供样品进行性能验证。
SK海力士推出其最新LPDDR5T移动DRAM,速度高达9.6Gbps,并已经成功在联发科的下一代旗舰移动平台上完成验证。
SK海力士今天宣布,已开始量产238层4D NAND闪存,并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。
SK海力士今天发布了业界首款24GB内存容量的12层HBM3显存产品,成为了目前业界最大的内存颗粒产品。
SK海力士的10nm级第5代(1β·12纳米)服务器DRAM即将量产,英特尔已启动兼容性验证程序。
SK海力士今日发布了截至2022财年及第四季度财务报告,其中2022四季度时隔十年录得单季亏损。
据外媒的报道显示,SK 海力士的最终目标是使芯片制造工厂全自动化运营,也就是达到L5级别,使生产制造的每一分钟都实现自动化和智能化。
SK海力士团队负责人Lee Hyung-dong表示,PUC技术将外围电路放在存储单元的下方,以减少芯片尺寸,提高生产率。与10nm以下的存储芯片相比,PRAM在扩展方面的限制较少。
SK海力士引进的EUV光刻机,可以给第四代内存减少多重曝光工艺,提供工艺精度,从而可以减少生产时间、降低成本,并提高性能。
10月20日,SK海力士和英特尔共同宣布,SK海力士将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务。英特尔将仅保留其特有的英特尔傲腾业务。
10月7日,SK海力士正式推出了首款量产DDR5 RDIMM内存,面向服务器、数据中心。采用基于1Ynm工艺制造的16Gb颗粒,单条容量64GB,借助TSV硅穿孔技术,单条最高可达256GB,频率最高5600MHz。
SK海力士于去年10月份宣布4D NAND闪存技术,采用单芯片四层架构设计,近日宣布已经研发成功并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片。
SK海力士的DDR5-6400内存采用第二代10nm级别工艺制造,频率高达6400MHz,工作电压仅为1.1V,芯片面积为76.22平方毫米,与上代DDR4内存相比存储密度翻了一倍。
近日,在而美国举办的Flash Memory Summit活动上,SK海力士宣布推出了全球首款4D闪存V5。该闪存采用512Gb TLC颗粒,采用96层堆叠、I/O接口速度1.2Gbps(ONFi 4.1标准)、面积13平方毫米,今年第四季度出样。
7月30日,SK海力士宣布,将在总部京畿道利川市新建一座半导体工厂,以满足内存芯片市场越发旺盛的需求。新工厂总面积5.3万平方米,预计2018年底开工建设,计划2020年10月份完工。
近日,韩国芯片巨头SK海力士宣布,将与中国成立新的合资企业,并于今年下半年兴建新的200毫米晶圆代工生产线。这条新的生产线正是由该子公司负责,坐落在中国无锡,与无锡产业发展集团有限公司合资建设。
近日,据市场研究公司IHS Markit的最新数据,自去年第三季度以来,三星已经连续三个季度排名芯片行业首位。具体来说,今年第一季度,三星在半导体行业的销售额为186.07亿美元,市场份额为16.1%,领先于Intel。
北京时间5月17日,东芝公司宣布,中国监管部门已经批准了贝恩资本财团180亿美元收购其芯片业务部门交易。根据资料显示,去年东芝就已经开始于贝恩资本签约出售芯片业务,等有关部门审批完成之后,预计今年6月就可正式完成出售整个流程。
据韩媒etnews报道,SK海力士正在计划进军工业固态硬盘市场。他们将以第四代72层512Gb的3D NAND闪存芯片为基础,开发高达4TB的SATA固态硬盘,向工业级客户供货。
在2017年第四季度,内存价格开始出现了稳定并回落的迹象,其中DRAM内存芯片的行业价格下跌了5%。同时根据最新预计,2018年DRAM内存行业的增长率将降至30%。